别被数据分析师骗了！用数据说谎的三种办法

在这篇文章中，小编将为大家带来场效应管的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。

一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

二、场效应管防反保护解析

直流供电产品在系统高可靠性要求下防反接保护是重要保护之一，二极管的单向导通特性使二极管作为了应用首选，通常选用快恢复二极管，电流稍大的可选压降较小的肖特基二极管，达到相同电流级的肖特基二极管成本相对偏高。快恢复二极管压降约0.7V，肖特基二极管管压降约为0.3V，以10A电流为例快恢复二极管消耗功率为7W，肖特基二极管消耗功率为3W，通常就需要考虑散热问题，如果在5V电压供电系统中压降的产生会使系统的效率分别降低14%和6%。

为解决此问题MOS管型防反接保护电路被工程技术人员开发利用，利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，通常可达到毫欧级别，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。还以10A电流为例，MOS管内阻选10mQ，器件的管压降为0.1V，消耗功率为1W。如果内阻更小管压降及消耗的功率也变得更小，在低压大电流系统中MOS管型防反接具有绝对的优势保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。

NMOS场效应管防反保护如下图所示:

NMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间，电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置，VR1用于限制VGS间电压，防止被击穿。正接时候，R1、R2提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

PMOS场效应管防反保护如下图所示：

PMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间，电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置，VR1用于限制VSG间电压，防止被击穿。正接时候，R1、R2提供VSG电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

由于场效应管的加工工艺导致NMOS管的导通电阻比PMOS的小，所以最好选用NMOS。

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